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SIHFD224	文件：1.11815 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET VDS (V) 250 RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 1.1 Qg (Max.) (nC) 14 Qgs (nC) 2.7 Qgd (nC) 7.8 Configuration Single DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness 文件：1.11815 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SiHFD224	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay
SIHFD224-E3	文件：1.11815 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET VDS (V) 250 RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 1.1 Qg (Max.) (nC) 14 Qgs (nC) 2.7 Qgd (nC) 7.8 Configuration Single DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness 文件：1.11815 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIHFD224_V01	文件：410.25 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：410.25 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIHFD224-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay

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