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IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NPBF	文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NPBF	文件：2.35591 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NS	文件：168.45 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-12A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NS	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NS	文件：1.09621 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z24NS	文件：931.36 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF9Z24NSPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NSPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NSPBF	文件：394.15 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NSTRLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24NSTRR	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24PBF	文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24PBF	文件：1.81473 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24PBF	文件：1.50137 Mbytes Page：8 Pages	powermosfet	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24S	文件：311.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.28ohm,Id=-11A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24S	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24S	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surfacemount(IRF9Z24S,SiHF9Z24S) •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •P-channel •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesin	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24SPBF	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
SIHF9Z24STR
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SIHF9Z24STR供应商更新时间2024-5-28 13:00:00

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