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SIHF16N50C-E3 | Gate Charge Improved Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC FEATURES •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •GateChargeImproved •Trr/QrrImproved •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
SIHF16N50C-E3 | Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
GateChargeImprovedComplianttoRoHSDirective2002/95/EC FEATURES •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •GateChargeImproved •Trr/QrrImproved •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SIHF16N50C-E3
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 500V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
20+ |
TO-220 |
326 |
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Vishay |
22+ |
NA |
500000 |
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21+ |
TO-220 |
10000 |
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22+ |
TO-220 |
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TO-220 |
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VISHAY |
20+ |
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VISHAY |
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TO-220 |
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TO-220 |
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