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详细参数

  • 型号:

    SIHF6N65E-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 漏极连续电流:

    7 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.6 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装:

    Bulk

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更多SIHF6N65E-GE3供应商 更新时间2026-2-2 10:16:00