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SIHG16N50C-E3 | Power MOSFET 文件：211.05 Kbytes 页数：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
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Gate Charge Improved Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：155.39 Kbytes 页数：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
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详细参数
- 型号：
SIHG16N50C-E3
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 500V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHY |
24+ |
TO-247 |
4000 |
IR现货原包原盒假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO-247 |
20000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY |
24+/25+ |
TO-247AC |
42375 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||
VISHAY |
25+23+ |
TO-47 |
27406 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
VISHAY |
2018+ |
26976 |
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VISHY |
1101 |
TO247 |
7500 |
普通 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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VISHAY/威世 |
2447 |
NA |
100500 |
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VISHAY |
25+ |
TO-247 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
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