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|---|---|---|---|---|
SIHP24N65E-E3 | E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Ser 文件：220.99 Kbytes 页数：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SIHP24N65E-E3 | E Series Power MOSFET 文件：213.56 Kbytes 页数：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
E Series Power MOSFET 文件：182.41 Kbytes 页数：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
TQFP100 | SILICONI | SILICONI | ||
TQFP100 | SILICON | SILICON |
详细参数
- 型号：
SIHP24N65E-E3
- 功能描述：
MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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