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SIHG24N65E-E3

E Series Power MOSFET

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SIHP24N65E-E3

E Series Power MOSFET

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SIHP24N65E-E3

E Series Power MOSFET

FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Ser

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SIHP068N60EF-GE3

TO-22

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上传:深圳市中广亿科技发展有限公司

SII1161CTU

TQFP100

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SIHG24N65E-E3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 650V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIHG24N65E-E3供应商 更新时间2026-1-31 17:25:00