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SIHF8N50D-E3

D Series Power MOSFET

文件:178.54 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHP8N50D-E3

D Series Power MOSFET

文件:172.62 Kbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHG22N60E-GE3

TO-247

VISHAY/威世

SIHP068N60EF-GE3

TO-22

VISHAYVishay Siliconix

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上传:深圳市中广亿科技发展有限公司

SII1161CTU

TQFP100

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SIHF8N50D-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Vishay
24+
NA
3000
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VISHAY
25+
TO-220
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25+
TO220AB
10000
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TO220AB
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VISHAY/威世
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SMD
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MOSFETs
100000
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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TO-220F
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VISHAY/威世
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TO-220F
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更多SIHF8N50D-E3供应商 更新时间2026-4-21 14:16:00