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SIHB23N60E	文件：322.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHB23N60E	文件：218.8 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHB23N60E_V01	文件：217.88 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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FMH23N60ES	文件：585.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
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FMR23N60E	文件：324.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FMR23N60ES	文件：576.1 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
G23N60UF	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G23N60UFD	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXFH23N60Q	文件：337.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH23N60Q	文件：580.04 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT23N60Q	文件：580.04 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ23N60Q	文件：538.07 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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SFF23N60M	文件：169.82 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
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SGF23N60UF	文件：543.34 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFseriesprovideslowconductionandswitchinglosses. UFseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •LowS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGF23N60UFD	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
SIHB23N60E
功能描述：
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
RoHS：
否
制造商：
Vishay/Siliconix
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
20 V
漏极连续电流：
23 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.158 Ohms
配置：
Single
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
D2PAK-3
封装：
Bulk

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更多SIHB23N60E供应商更新时间2024-5-25 14:00:00

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