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详细参数

型号：
SIHB23N60E
功能描述：
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
RoHS：
否
制造商：
Vishay/Siliconix
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
20 V
漏极连续电流：
23 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.158 Ohms
配置：
Single
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
D2PAK-3
封装：
Bulk

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