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详细参数

  • 型号：

    SIHB30N60E-E3

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel 600V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SIHB30N60E-E3
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SIHB33N60E
VISHAY/威世
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50000
全新原装正品现货,支持订货
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