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SIHF12N50C-E3	文件：153.36 Kbytes Page：8 Pages	100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC FEATURES •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •GateChargeImproved •Trr/QrrImproved •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF12N50C-E3	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFETs FEATURES •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •GateChargeImproved •Trr/QrrImproved •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF12N50C-E3	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB12N50C-E3	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •GateChargeImproved •Trr/QrrImproved •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB12N50C-E3	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB12N50C-E3	文件：1.038089 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIHB12N50C-E3	文件：153.36 Kbytes Page：8 Pages	100AvalancheTestedComplianttoRoHSDirective2002/95/EC FEATURES •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •GateChargeImproved •Trr/QrrImproved •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP12N50C-E3	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP12N50C-E3	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •GateChargeImproved •Trr/QrrImproved •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SIHF12N50C-E3
功能描述：
MOSFET N-Channel 500V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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