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SIHB23N60E中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
SIHB23N60E
- 功能描述:
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
- RoHS:
否
- 制造商:
Vishay/Siliconix
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
20 V
- 漏极连续电流:
23 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.158 Ohms
- 配置:
Single
- 最大工作温度:
+ 150 C
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
D2PAK-3
- 封装:
Bulk
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
D2PAK( |
990000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
D2PAK( |
68900 |
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VISHAY/威世 |
D2PAK( |
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VISHAY |
23+ |
SMD |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO263 |
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Vishay |
23+ |
D2PAK(TO- |
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Vishay Siliconix |
23+ |
SMD |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
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VISHAY/威世 |
2023+ |
TO-263 |
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Vishay Siliconix |
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TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
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