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SIHB23N60E-GE3
厂商型号

SIHB23N60E-GE3

功能描述

E Series Power MOSFET

文件大小

217.88 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 22:59:00

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产品属性

  • 型号:

    SIHB23N60E-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay/Siliconix

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    20 V

  • 漏极连续电流:

    23 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.158 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    D2PAK-3

  • 封装:

    Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
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