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SiHB23N60E规格书详情
特性 Features
·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses
技术参数
- 型号：
SIHB23N60E
- 功能描述：
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay/Siliconix
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
20 V
- 漏极连续电流：
23 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.158 Ohms
- 配置：
Single
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
D2PAK-3
- 封装：
Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
D2PAK( |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2223+ |
TO-263 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2023+ |
TO-263 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
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询价 | |||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263 |
43200 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263 |
9600 |
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询价 | ||
VISHAY |
23+ |
SMD |
8650 |
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Vishay |
25+ |
D2PAK(TO- |
12300 |
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询价 |
