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SiHB12N65E数据手册Vishay中文资料规格书
SiHB12N65E规格书详情
特性 Features
·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses
技术参数
- 型号：
SIHB12N65E
- 功能描述：
MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay/Siliconix
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
700 V
- 闸/源击穿电压：
20 V
- 漏极连续电流：
12 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.392 Ohms
- 配置：
Single
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
D2PAK-3
- 封装：
Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
1820 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO2633 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
Vishay |
1822+ |
TO263 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
SILICONIXVISHAY |
24+ |
NA |
850 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
SILICONIX (VISHAY) |
23+ |
原厂原封 |
50 |
订货1周 原装正品 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
D2PAK(TO-263) |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO263 |
6000 |
原装房间现货可出样品 |
询价 |
