| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
SiHB12N65E
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
7500
- 产品封装：
TO-263
- 生产批号：
20+
- 库存类型：
- 更新时间：
2024-5-17 15:00:00
首页>SiHB12N65E>芯片详情
SiHB12N65E_VISHAY/威世科技_MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS安富世纪二部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
SiHB12N65E
- 功能描述：
MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay/Siliconix
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
700 V
- 闸/源击穿电压：
20 V
- 漏极连续电流：
12 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.392 Ohms
- 配置：
Single
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
D2PAK-3
- 封装：
Bulk
供应商
- 企业：
深圳市安富世纪电子有限公司
- 商铺：
- 联系人：
赵妍
- 手机：
18100277303
- 询价：
- 电话：
0755-23991454
- 地址：
深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17E
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