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TISP8201HDM	文件：481.45 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201HDMR-S	文件：860.58 Kbytes Page：1 Pages	GR-1089-COREDualSupplyVoltage	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201M	文件：286.01 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR-S	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TLE8201R	文件：598.93 Kbytes Page：45 Pages	DoorModulePowerIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TPC8201	文件：344.35 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=37mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=30V) ●Enhancement−mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：232.71 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.88033 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
SI8201L
功能描述：
Analog IC

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更多SI8201L供应商更新时间2025-5-29 17:15:00

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