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SI4800	文件：254.88 Kbytes Page：13 Pages	丝印：4800；Package：SO-8；N-channel enhancement mode field-effect transistor N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1. Low gate charge 2. Surface mounted package 3. Low on-state resistance 4. Fast switching. 文件：254.88 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
SI4800	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor	恩XP	恩XP
SI4800	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Nexperia 安世	Nexperia
SI4800BDY	文件：184.04 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • High-Efficient PWM Optimized • 100 UIS and Rg Tested 文件：184.04 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4800BDY	文件：252.9 Kbytes Page：9 Pages	丝印：4800B；Package：SO-8；N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • High-Efficient PWM Optimized • 100 UIS and Rg Tested 文件：252.9 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4800BDY_V01	文件：184.04 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • High-Efficient PWM Optimized • 100 UIS and Rg Tested 文件：184.04 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4800BDY-T1-E3	文件：1.00749 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.00749 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI4800BDY-T1-E3	文件：252.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • High-Efficient PWM Optimized • 100 UIS and Rg Tested 文件：252.9 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4800DY-T1-E3	文件：1.00694 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.00694 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI4800BD_V01	文件：184.04 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 文件：184.04 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
SI4800
功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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