| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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PHISOP8 |
7850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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7年
留言
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SISOP8 |
850 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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PHISOP |
26200 |
25+ |
原装现货,诚信经营! |
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16年
留言
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SISOP8 |
3925 |
2025+ |
全新原装、公司现货热卖 |
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3年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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10年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
98900 |
25+ |
原厂原装正品现货!! |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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9年
留言
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VISHYASOP8 |
6800 |
25+ |
全新原装公司现货低价 |
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7年
留言
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Vishay(威世)SOIC-8 |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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13年
留言
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VISHAYSOP8 |
35273 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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8年
留言
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VISHAYSOP8 |
9800 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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13年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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5年
留言
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VISHAYSOP |
26200 |
25+ |
原装现货,诚信经营! |
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7年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
3333 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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12年
留言
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VISHAYSOP-8 |
19025 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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12年
留言
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VISHAY(威世)8-SO |
5035 |
全新原装正品现货可开票 |
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5年
留言
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VISHAYSOP8 |
5000 |
2320+ |
只做原装,特价清货! |
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2年
留言
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VISHAY |
5000 |
21+ |
SOIC-Narrow-8 |
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7年
留言
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VISHAYQFN |
50000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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4年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
SI4800采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4800图片
SI4800BDY-T1-E3价格
SI4800BDY-T1-E3价格：￥0.5200品牌：Vishay Siliconix
生产厂家品牌为Vishay Siliconix的SI4800BDY-T1-E3多少钱，想知道SI4800BDY-T1-E3价格是多少？参考价：￥0.5200。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4800BDY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4800BDY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4800BDY-T1-E3报价。
SI4800DY-T1资讯
SI4800BDY-T1-GE3芯片VISHAY代理商现货海天鸿电子科技；VISHAY集成电路芯片;深圳公司仓库现货，只做原装，假一罚十
顺祝商祺 **************************************************************************************** 深圳市海天鸿电子科技有限公司 刘远俊 Shenzhen Hthong Electronices Co.,Ltd 地址：深圳市福田区中航路中航北苑
SI4800BDY-T1-E3 深圳市鸿昌盛电子科技
公司百分百原装现货，假一罚十，只做原装
SI4800DY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4800,518功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4800BDY制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
SI4800BDY-T1制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
SI4800BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4800BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4800DY功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4800DY-E3功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4800DY-T1功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4800DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
