Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s propretary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching perfo

文件：327.11 Kbytes 页数：4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：123.39 Kbytes 页数：7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：296.79 Kbytes 页数：15 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel and P-Channel MOSFET useadvanced trench Technology

文件：3.78133 Mbytes 页数：8 Pages

DOINGTER

杜因特

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.23316 Mbytes 页数：14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管

这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件特别适合笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。 •P沟道、-3.5 A、-30V\n•N沟道、3.9 A、30V\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•高密度设计可实现极低的RDS(ON)\n•表面贴装封装中的双（N和P沟道）MOSFET ;

ONSEMI

安森美半导体

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

Vishay

威世

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

Vishay

威世