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SI4532ADY	文件：339.7 Kbytes Page：18 Pages	EVALUATION KIT INTRODUCING LX1710/1711 AUDIOMAX Thank you for your interest in the latest generation of AudioMAX products. The enclosed LXE1710 evaluation board is a fully functional mono amplifier designed to demonstrate the “new and improved” Switching Class-D Power Amplifier IC from Linfinity Microsemi. The 文件：339.7 Kbytes 页数：18 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
SI4532ADY	文件：401.59 Kbytes Page：4 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFETs • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：401.59 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4532ADY	文件：183.76 Kbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFETs • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：183.76 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4532ADY_V01	文件：183.76 Kbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFETs • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：183.76 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4532ADY-T1-E3	文件：1.23291 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive • Mobile Power Bank 文件：1.23291 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI4532ADY-TP	文件：4.06296 Mbytes Page：10 Pages	N&P-Channel Complementary MOSFET General Features «+ N-Channel © Vos=30V. o=B.0A Rosny =17m0@ Vos=10V Rosco =24m0@Vos=4 5V + P-Channel * Vos=-30V,Ip=-6A Rosn =40mQ @Ves=-10V Rosco =60mQ @Vos=-45V «High Power and current handing capabilly «Lead ree products acquired « Surace Mount Package Application 文件：4.06296 Mbytes 页数：10 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
SI4532CDY	文件：295.5 Kbytes Page：15 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Conve • Load Switch 文件：295.5 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4532CDY	文件：227.97 Kbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter • Load Switch 文件：227.97 Kbytes 页数：14 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4532CDY_V01	文件：227.97 Kbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter • Load Switch 文件：227.97 Kbytes 页数：14 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4532CDY-T1-GE3	文件：295.5 Kbytes Page：15 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Conve • Load Switch 文件：295.5 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±30
VGS Max (V)：
-20
VGS(th) Max (V)：
±3
ID Max (A)：
-3.5
PD Max (W)：
2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
0.19
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
0.19
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
5
Ciss Typ (pF)：
N
Package Type：
SOIC-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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