SI4532DY数据手册ONSEMI中文资料规格书
SI4532DY规格书详情
描述 Description
这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件特别适合笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。
特性 Features
•P沟道、-3.5 A、-30V
•N沟道、3.9 A、30V
•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
•高密度设计可实现极低的RDS(ON)
•表面贴装封装中的双（N和P沟道）MOSFET
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：SI4532DY
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±30
- VGS Max (V)
：-20
- VGS(th) Max (V)
：±3
- ID Max (A)
：-3.5
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：0.19
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：0.19
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：5
- Ciss Typ (pF)
：N: 235
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
2016+ |
SOP |
6000 |
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询价 | ||
Vishay |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOP-8 |
100586 |
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25+ |
SOIC-8 |
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FAI |
03+ |
SO-8 |
16000 |
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24+ |
SOIC-8 |
5000 |
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询价 | ||
VISHAY |
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SOP8 |
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10+ |
SOP8 |
106 |
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23+ |
原包装原封 □□ |
2230 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
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询价 |
