Si4490DY中文资料N-Channel 200-V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
技术参数
- 型号：
SI4490DY
- 功能描述：
MOSFET 200V 4A 3.1W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICONIX |
24+ |
SO-8 |
6010 |
只做原装正品 |
询价 | ||
VISHAY |
20+ |
SOP8 |
2960 |
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VISHAY |
08+ |
SOP8 |
3300 |
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VISHAY |
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SOP-8 |
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VISHAY |
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SOP8 |
45000 |
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SOP-8 |
30000 |
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VISHAY |
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SOP8 |
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VISHAY |
23+ |
SOP8 |
50000 |
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VISHAY |
23+ |
SOP |
19567 |
询价 |
