SI4463DY数据手册ONSEMI中文资料规格书
SI4463DY规格书详情
描述 Description
General Description
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).
特性 Features
• –11.5 A, –20 V. RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 17.5 mΩ @ VGS = –2.5 V
• Fast switching speed.
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
• High power and current handling capabilityApplications
• Power management
• Load switch
• Battery protection
技术参数
- 型号：
SI4463DY
- 功能描述：
MOSFET SO8 PCH 20V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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