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SI4463DY中文资料P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

SI4463DY

功能描述

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:00:00

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SI4463DY规格书详情

描述 Description

General Description
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

特性 Features

• –11.5 A, –20 V. RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = –4.5 V
                       RDS(ON) = 17.5 mΩ @ VGS = –2.5 V
• Fast switching speed.
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
• High power and current handling capabilityApplications
• Power management
• Load switch
• Battery protection 

技术参数

  • 型号:

    SI4463DY

  • 功能描述:

    MOSFET SO8 PCH 20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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