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SI4425DY	文件：277.61 Kbytes Page：8 Pages	丝印：SI4425；Package：SOP-8；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs 文件：277.61 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
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SI4425BDY-T1-E3	文件：94.96 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Advanced High Cell Density Process • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs 文件：94.96 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI4425BDY-T1-E3	文件：995.84 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs 文件：995.84 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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SI4425DDY_V02	文件：214.67 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Load switches - Notebook PCs - Desktop PCs 文件：214.67 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
SI4425
功能描述：
MOSFET SO8 PCH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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