| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
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13年
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2860 |
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17年
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15400 |
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2年
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SISOP |
18000 |
25+ |
原装正品,全新来谈 |
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VISHAY/威世SOP8 |
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14年
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16年
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VISHAYSMD |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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17年
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SI3.9mm8 |
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自己现货 |
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10年
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SISOP8 |
17500 |
25+ |
普通 |
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3年
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SISOP |
8000 |
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只有原装 |
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6年
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SISOP |
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只做原装,欢迎来电资询 |
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11年
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SISOP |
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原装 |
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15年
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公司只有正品,实单来谈 |
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1年
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只做原装,欢迎来电资询 |
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2年
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7年
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VISHAY/威世 |
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18年
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VISHAY |
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17年
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SI9948DY-T1-E3资讯
SI9948ADY 深圳市鑫欧美电子有限公司
SI9948ADY 品牌: VISHAY 封装: SOP 数量: 3000 年份:11+12+ 专业经营集成电路IC,二、三极电容,电阻,电容 电话:0755-82708963/33167061张小姐,黄先生 Q Q:1483286993/592
SI9948ADY 深圳市鑫欧美电子有限公司
型号: SI9948ADY 品牌: VISHAY 封装: SOP 数量: 3000 年份:11+12+ 专业经营集成电路IC,二、三极电容,电阻,电容 电话:0755-82708963/33167061张小姐,黄先生,QQ1483286993/592442707
SI9948DY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI9948AEY功能描述:MOSFET 60V 2.6A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9948AEY-E3功能描述:MOSFET 60V 2.6A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9948AEY-T1功能描述:MOSFET 60V 2.6A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9948AEY-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 2.6A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9948AEY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 2.6A 2.4W 170mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


























