| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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3年
留言
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VISHAYSOIC-8Narrow |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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6年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
18000 |
26+ |
原装现货,原厂渠道价格优势 |
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1年
留言
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SILICONIXSOP8 |
2174 |
00+ |
原装正品、支持实单、价优实在 |
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11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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2年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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3年
留言
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VISHAYNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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8年
留言
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VISHAYSOP8 |
9800 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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5年
留言
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VISHAY |
2500 |
18+ |
SO-8 |
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10年
留言
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VISHAY/威世SOP |
5500 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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7年
留言
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VISHAY/威世23+ |
6000 |
26+ |
专业配单原装正品假一罚十 |
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5年
留言
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VISHAYSOP-8 |
26200 |
25+ |
原装现货,诚信经营! |
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11年
留言
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VISHAYSOP8 |
8000 |
6 |
进口原装现货,假一赔十 |
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1年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
180 |
20+ |
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只做自己真实库存原盘原标清仓价格好省钱全新正品原厂现货 |
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6年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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5年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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4年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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4年
留言
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VISHAY(威世)N/A |
23500 |
23+ |
最新到货,只做原装进口 |
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13年
留言
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SHARPSOP8 |
257000 |
26+ |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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7年
留言
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Vishay(威世)SOIC-8 |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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SI4425图片
SI4425DDY-T1-GE3价格
SI4425DDY-T1-GE3价格:¥1.6153品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4425DDY-T1-GE3多少钱,想知道SI4425DDY-T1-GE3价格是多少?参考价:¥1.6153。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4425DDY-T1-GE3批发价格及采购报价,SI4425DDY-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI4425DDY-T1-GE3报价。
SI4425DDY-T1-GE3资讯
SI4425DDY-T1-GE3公司原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商
SI4425DDY-T1-GE3深圳市力通伟业半导体有限公司
SI4425DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4425DDY-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
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SI4425BDY-T1制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
SI4425BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 11.4A 2.5W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425DDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30 V(D-S) MOSFET
SI4425DDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 19.7A 5.7W 9.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425DY功能描述:MOSFET SO8 PCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425DY-E3功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425DY-T1功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
































