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SI4425DDY-T1-GE3深圳市力通伟业半导体有限公司

2024-11-18 14:10:00
  • SI4425DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

型号:SI4425DDY-T1-GE3  品牌:VISHAY   封装:SOP8   年份:16+

SI4425DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

产品信息

制造商: Vishay 最小包装量: 2500

封装: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 包装: Tape & Reel (TR)

类别: FET - 单路 无铅情况/RoHS: 符合

产品描述: MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

参数 数值

系列 TrenchFET®

封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

功率 - 最大值 5.7W

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2610pF @ 15V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 80nC @ 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.8 mOhm @ 13A, 10V

FET 功能 Standard

FET 类型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide

漏源极电压 (Vdss) 30V

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