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SI3529DV-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	Vishay Siliconix SOT-23-6 细型,TSOT-23-6	VishayVishay Siliconix 威世科技相关企业：深圳市鹏顺微电子科技有限公司	Vishay
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详细参数

型号：
SI3529DV-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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