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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
SI3552DV-T1 | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：117.37 Kbytes 页数：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | |
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：281.63 Kbytes 页数：13 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | ||
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：281.63 Kbytes 页数：13 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | ||
N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：598.27 Kbytes 页数：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：304.84 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | ||
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：205.06 Kbytes 页数：12 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SI3552DV-T1
- 功能描述：
MOSFET 30V 2.5/1.8A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
11048 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
询价 | ||
24+ |
3000 |
自己现货 |
询价 | ||||
SI |
SOT23 |
2959 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
VISHAY |
2016+ |
SOT23-6 |
2891 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
SOT23-6 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
SOT23-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TSOP-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
TSOP-6 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
2021/2022+ |
标准封装 |
6500 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
VISHAY |
04+ |
SOT23-6 |
2880 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
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