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SI3483DV-T1-E3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:66.89 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI3500-A-GMIC

SILICON LABS/芯科
QFN

SILICON LABS/芯科

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SILICON LABS/芯科

SI3590Dv

VISHAY
TSOP6

VishayVishay Siliconix

威世科技

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SI4010-C2-GSRIC

SILICON LAB
SOP14

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SILICON LAB

SI4010-C2-GTR

SILICON LAB
MSOP10

SILICON LAB

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SILICON LAB

详细参数

  • 型号:

    SI3483DV-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 6.2A 2.0W 35mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI3483DV-T1供应商 更新时间2025-10-4 9:05:00