| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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15年
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VISHAY/威世SOT23-6 |
15620 |
25+ |
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VISHAY/威世全新特价SI3443DV-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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10年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
4817 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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1年
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NK/南科功率TSOP-6 |
2255 |
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国产南科平替供应大量 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
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VISHAYSOT23-6 |
6800 |
23+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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12年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
39045 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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7年
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VISHAY/威世TSOP-6 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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12年
留言
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ONSOT23 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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INFINEONSOT23-6 |
9900 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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12年
留言
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VISHAYSOT23PB |
2860 |
25+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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8年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
98600 |
24+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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7年
留言
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IRSOT23-6 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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2年
留言
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IRTSOP-6 |
3500 |
16+/17+ |
原装正品现货供应56 |
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13年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
9865 |
23+/24+ |
专营品牌.原装正品.终端BOM表可配单 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23-6 |
7786 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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3年
留言
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ONSOT23 |
7044 |
23+ |
原厂原装正品 |
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5年
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IRTSOP-6 |
58000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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11年
留言
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IRTSOP-6 |
6000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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11年
留言
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VISHAY原现SOT23-6 |
25000 |
25+ |
只做进口原装假一罚百 |
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6年
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50VISHAY/威世 |
10 |
236 |
92 |
SI3443采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI3443图片
SI3443BDV-T1-GE3价格
SI3443BDV-T1-GE3价格：￥0.0000品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI3443BDV-T1-GE3多少钱，想知道SI3443BDV-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.0000。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3443BDV-T1-GE3批发价格及采购报价，SI3443BDV-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI3443BDV-T1-GE3报价。
SI3443CDV-T1-E3MOS(场效应管)资讯
SI3443CDV-T1-GE3详细参数VISHAY深圳市光华微科技有限公司18138231376
深圳市光华微科技有限公司为您提供Vishay设计生产的SI3443CDV-T1-GE3 元器件，主要参数为:SOT-23-6，TSOT-23-6 TSOP-6 ，SI3443CDV-T1-GE3库存充足，欢迎来电咨询18138231376微信同号
SI3443DVTRPBF公司原装正品现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
SI3443DV
SI3443DV
SI3443CDV-T1-E3MOS(场效应管)中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3443BDVT1制造商:VISHAY 功能描述:New
SI3443BDV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.4A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443BDV-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443CDV制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI3443CDV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.7A 3.2W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443CDV-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 4.7A 3.2W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443CVD-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.7A 3.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443DV功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443DV_Q功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443DV-NF073制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P-CH MOSFET TSOP-6 20V 65MOHM @ 4.5V - Rail/Tube
