参数 参数值

商品目录 MOSFET

系列 TrenchFET?

FET类型 P-Channel

连续漏极电流Id 5.97A(Tc)

驱动电压@Rds On（Max)，Rds On(Min） 2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12.4nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 10V

栅极电压Vgs ±12V

功率耗散（最大值） 2W(Ta)，3.2W(Tc)

Rds On(Max）@Id，Vgs 60m Ohms@4.7A，4.5V

工作温度 -55°C~150°C(TJ)

封装/外壳 SOT-23-6，TSOT-23-6

封装/外壳 TSOP-6

FET类型 P-Channel

漏源极电压Vds 20V

连续漏极电流Id 4.7A

Rds On(Max）@Id，Vgs 60m Ohms

漏源极电压Vds 1.5V