参数 参数值
商品目录 MOSFET
系列 TrenchFET?
FET类型 P-Channel
连续漏极电流Id 5.97A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max)，Rds On(Min） 2.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12.4nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 10V
栅极电压Vgs ±12V
功率耗散（最大值） 2W(Ta)，3.2W(Tc)
Rds On(Max）@Id，Vgs 60m Ohms@4.7A，4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23-6，TSOT-23-6
封装/外壳 TSOP-6
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 4.7A
Rds On(Max）@Id，Vgs 60m Ohms
漏源极电压Vds 1.5V
