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SI3443BDV-T1-E3	文件：449.12 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI3443BDV-T1-GE3	文件：450.76 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI3443CDV	文件：241.26 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •HDD •AsynchronousRectification •LoadSwitchforPortableDevices	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3443CDV_V01	文件：241.26 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •HDD •AsynchronousRectification •LoadSwitchforPortableDevices	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3443CDV-T1-GE3	文件：450.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI3443DV	文件：111.62 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainlowgatecharageforsuperiorswitchingperformance. Features •–4A,–20V.RDS(ON)=0.065Ω	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI3443DV	文件：130.08 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ●U	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
SI3443DV-T1-GE3	文件：440.24 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI3443DVTRPBF	文件：440.2 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI3443BDV	文件：210.05 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3443BDV	文件：210.78 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3443BDV	文件：236.19 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3443BDV_17	文件：210.78 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SI3443BDV-T1-E3	文件：206.37 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SI3443CDV	文件：145.29 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3443CDV	文件：215.84 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
SI3443
功能描述：
MOSFET 20V 4.4A 2W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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