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SI2302CDS-T1-GE3	文件：118.01 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitchingforportabledevices •DC/DCconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技
SI2302CDS-T1-GE3	文件：1.04802 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
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SI2302CDS-T1-GE3

文件：118.01 Kbytes

Page：5 Pages

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitchingforportabledevices •DC/DCconverter

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI2302CDS-T1-GE3

文件：1.04802 Mbytes

Page：9 Pages

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

SI2302CDS-T1-GE3

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Page：8 Pages

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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详细参数

型号：
SI2302CDS-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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