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SI2308BDS-T1-GE3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2308BDS-T1-GE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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SI2308BDS-T1-GE3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.03167 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI2310

SOT-23

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SI2319CDS-T1-GE3

SOT-23

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上传:深圳市富利微电子科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI2308BDS-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI2308BDS-T1-GE3供应商 更新时间2025-12-9 10:31:00