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SI2301BDS-T1-GE3

文件：213.22 Kbytes

Page：9 Pages

P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

Description:P-Channel,20-V(D-S)MOSFET Package:SOT-23 PinOut:Identical

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SI2301BDS-T1-GE3

文件：1.03515 Mbytes

Page：9 Pages

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
SI2301BDS-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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