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SI1965DH-T1-E3

Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

文件:140.92 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2166-D60-GM

QFN-48

SILICON

SI2300DS-T1-GE3

SOT-23

VISHAY(威世)

SI2301

SOT-23

FM/富满

SI2301

SOT23

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市福田区绿盛电子商行

详细参数

  • 型号:

    SI1965DH-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI1965DH-T1-E3供应商 更新时间2026-2-6 20:34:00