首页 >SI2301DS>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

SI2301DS

丝印:A1***;Package:SOT-23;P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

PRODUCT SUMMARY VDS (V)                 rDS(on) (Ω)                ID (A)   -20                0.130 @ VGS = -4.5 V      -2.3                        0.190 @ VGS = -2.5 V      -1.9

文件:55.55 Kbytes 页数:4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2301DS

P-Channel Enhancement MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-20V ● RDS(ON)

文件:1.72586 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

SI2301DS

丝印:2301;Package:SOT23;P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

Application Battery protection Load switch Power management

文件:1.71453 Mbytes 页数:6 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

SI2301DS-3

P-Channel Enhancement MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-20V ● RDS(ON)

文件:1.99765 Mbytes 页数:5 Pages

KEXIN

科信电子

SI2301DS-HF

P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-20V ● RDS(ON)

文件:1.7128 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

SI2301DS-HF-3

P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-20V ● RDS(ON)

文件:1.7545 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

SI2301DS-T1

P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

PRODUCT SUMMARY VDS (V)                 rDS(on) (Ω)                ID (A)   -20                0.130 @ VGS = -4.5 V      -2.3                        0.190 @ VGS = -2.5 V      -1.9

文件:55.55 Kbytes 页数:4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2301DS-T1-GE3

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:1.035119 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Si2301DS

20-V (D-S) Single

Vishay

威世

SI2301DS-ES

场效应管(MOSFET)

ElecSuper

静芯

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    20V

  • 连续漏极电流(Id):

    3A

  • 功率(Pd):

    1W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):

    700mV@250uA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
20+
SOT-23
300000
原装正品 可含税交易
询价
VISHAY
23+
15000
原装现货 只做原装 库位:深圳
询价
SIPUSEMI
2021+
SOT-23
9000
原装现货,随时欢迎询价
询价
VISHAY
2025+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
询价
VISHAY
16+
SOT23-3
18313
询价
VISHAY
24+
3000
自己现货
询价
AISHAY
23+
SOT-23-3
8600
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!
询价
VISHAY
24+/25+
SO-23
1000
原装正品现货库存价优
询价
15+
SOT23
51000
全新原装
询价
VISHAY
2016+
SOT23
2500
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
更多SI2301DS供应商 更新时间2026-4-18 14:00:00