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SI1905BDH-T1-E3

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

文件:142.21 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2166-D60-GM

QFN-48

SILICON

SI2300DS-T1-GE3

SOT-23

VISHAY(威世)

SI2301

SOT-23

FM/富满

SI2301

SOT23

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市福田区绿盛电子商行

详细参数

  • 型号:

    SI1905BDH-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 8.0V 0.63A 0.357W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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