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SCT10N120H中文资料Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package数据手册ST规格书

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厂商型号

SCT10N120H

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :SCT10N120H

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :H2PAK-2

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS_nom(V)

    :1200

  • RDS(on)_max(mΩ)

    :690

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :12

  • PTOT_max(W)

    :150

  • Qg_typ(nC)

    :22

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