| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking：SC250N12G3AG；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mΩ typ., 239 A in a STPAK package Features •AEC-Q101qualified •VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange •Highspeedswitchingperformances •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Application | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
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