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SBRD81035CTL	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free wheelin 文件：231.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRD81035CTLG	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free wheelin 文件：231.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRD81035CTLG-VF01	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free wheelin 文件：231.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRD81035CTLT4G	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free wheelin 文件：231.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRD81035CTLT4G	文件：120.16 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Switch-mode Schottky Power Rectifier DPAK Power Surface Mount Package The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited fo 文件：120.16 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRD81035CTLG	文件：74.18 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier 文件：74.18 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRD81035CTLT4G	文件：74.18 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier 文件：74.18 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRD81035CTLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRD81035CTLT4G	文件：300 bytes Page：1 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRD81035CTLG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
SBRD81035CTL
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
Diode Schottky 35V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
功能描述：
REC DPAK SPCL SHTKY

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