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SBRD81035CTLG-VF01

Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V

The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free wheelin

文件:231.35 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SBRD81035CTLG-VF01

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

SBRT15U100SP5-13

TO277

DIODES

美台半导体

上传:深圳市振宏微科技有限公司

SBT5833T1G

SOT-523

RICHTEK立锜

SBT5833T1G

SOT-523

SIG

产品属性

  • 产品编号:

    SBRD81035CTLG-VF01

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK

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更多SBRD81035CTLG-VF01供应商 更新时间2025-12-1 15:08:00