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SBRD81035CTLG	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBRD81035CTLG	文件：74.18 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBRD81035CTLG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBRD81035CTLG-VF01	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBRD81035CTLG-VF01	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSC81035M	文件：60.42 Kbytes Page：4 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSAVIONICSAPPLICATIONS DESCRIPTION TheMSC81035MisamediumpowerClassCtransistordesignedspecificallyforpulsedL-Bandavionicsapplications.ThisdeviceisadirectreplacementfortheMSC1035M.MSC81035Moffersimprovedsaturatedouputpowerandcollectorefficiencybasedonthetestcircuitdescribedherein.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MSC81035M	文件：18.86 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMSC81035Misacommonbasedevice,mediumpowerClassCtransistorforpulsedL-Bandavionics,DME/TACANApplications. FEATURES: •Inputmatching •EmittersiteBallasted. •PG=10dBat35W/1150MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MSC81035MP	文件：57.47 Kbytes Page：4 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSAVIONICSAPPLICATIONS DESCRIPTION TheMSC81035MPisamediumpowerClassCtransistordesignedspecificallyforpulsedL-Bandavionicsapplications.ThisdeviceisadirectreplacementfortheMSC1035MP.MSC81035MPoffersimprovedsaturatedouputpowerandcollectorefficiencybasedonthetestcircuitdescribedhe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SBRD81035CTL	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyPowerRectifier,SwitchMode,10A,35V TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SBRD81035CTLG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK

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