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SBRD81035CTLT4G

SWITCHMODE Schottky Power Rectifier

Switch-mode Schottky Power Rectifier DPAK Power Surface Mount Package The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited fo

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ONSEMI

安森美半导体

SBRD81035CTLT4G

Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V

The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free wheelin

文件:231.35 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SBRD81035CTLT4G

Switch-mode Schottky Power Rectifier

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安森美半导体

SBRD81035CTLT4G

SWITCHMODE Schottky Power Rectifier

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安森美半导体

SBRD81035CTLT4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK

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产品属性

  • 产品编号:

    SBRD81035CTLT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    管件

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SBRD81035CTLT4G供应商 更新时间2025-12-12 14:00:00