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RX3P07CBH	文件：2.77897 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RX3P07CBH；Package：TO-220AB；Nch 100V 120A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (TO220AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100 UIS tested Application Switching 文件：2.77897 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RX3P07CBH	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 120A, TO-220AB, Power MOSFET RX3P07CBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching. • Low on - resistance\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• 100% UIS tested\n;	ROHM 罗姆	ROHM
CEC3P07A	文件：413.17 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -37A, RDS(ON) = 10mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 15mW @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：413.17 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEZC3P07A	文件：860.47 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -37A, RDS(ON) = 10mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 15mW @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：860.47 Kbytes 页数：6 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
RD3P07BBH	文件：2.9184 Mbytes Page：13 Pages	Nch 100V 80A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High Power Package(TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free Application Switching 文件：2.9184 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-220AB
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
100
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220AB
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
120
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)：
0.0048
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.004
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0048
Total gate charge Qg[nC]：
48
Power Dissipation (PD)[W]：
135
Drive Voltage[V]：
6
Trr (Typ.)[ns]：
74
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.16x15.35 (t=4.64)

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