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RD3P07BBH	文件：2.9184 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RD3P07BBH；Package：TO-252；Nch 100V 80A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High Power Package(TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free Application Switching 文件：2.9184 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3P07BBH	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 80A, TO-252, Power MOSFET RD3P07BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching. • Low on - resistance\n• High Power Package (TO-252)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen free;	ROHM 罗姆	ROHM
RX3P07BBH	文件：2.95275 Mbytes Page：13 Pages	Nch 100V 80A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (TO220AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100 UIS tested Application Switching 文件：2.95275 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RX3P07CBH	文件：2.77897 Mbytes Page：13 Pages	Nch 100V 120A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (TO220AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100 UIS tested Application Switching 文件：2.77897 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
80
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)：
0.0075
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0059
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0075
Total gate charge Qg[nC]：
25
Power Dissipation (PD)[W]：
89
Drive Voltage[V]：
6
Trr (Typ.)[ns]：
63
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多RD3P07BBH供应商更新时间2025-10-10 10:01:00

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