RQ3E180GN数据手册ROHM中文资料规格书
RQ3E180GN规格书详情
描述 Description
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。
特性 Features
• Low on - resistance.
• High Power Package (HSMT8).
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• Halogen Free
技术参数
- 制造商编号
：RQ3E180GN
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：HSMT8
- 包装数量
：3000
- 最小独立包装数量
：3000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：HSMT8 (3.3x3.3)
- Applications
：Power Supply
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：30
- Drain Current ID[A]
：39
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.0043
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
：0.0033
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.0043
- Total gate charge Qg[nC]
：11
- Power Dissipation (PD)[W]
：20
- Drive Voltage[V]
：4.5
- Mounting Style
：Surface mount
- Bare Die Part Number
：Available: K4511
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：3.3x3.3 (t=0.8)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
HSMT8 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Rohm(罗姆) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
HSMT8 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
2022+ |
DFN3.33.3B-8-EP |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
ROHM(罗姆) |
24+ |
HSMT8 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
23+ |
HSMT8 |
66600 |
专业芯片配单原装正品假一罚十 |
询价 | ||
ROHM |
21+ |
HSMT8 |
50 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
2223+ |
HSMT8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
N/A |
120000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
ROHM |
20+ |
HSMT8 |
32970 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
