RQ3E080BN数据手册ROHM中文资料规格书
RQ3E080BN规格书详情
描述 Description
RQ3E080BN是大功率封装（HSMT8）的中功率MOSFET。
特性 Features
• Low on - resistance.
• High Power Package (HSMT8).
• Pb-free lead plating; RoHS compliant.
• Halogen Free
技术参数
- 制造商编号
：RQ3E080BN
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：HSMT8
- 包装数量
：3000
- 最小独立包装数量
：3000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：HSMT8 (3.3x3.3)
- Applications
：Switching
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：30
- Drain Current ID[A]
：15
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.016
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
：0.011
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.016
- Total gate charge Qg[nC]
：7.2
- Power Dissipation (PD)[W]
：14
- Drive Voltage[V]
：4.5
- Mounting Style
：Surface mount
- Bare Die Part Number
：Available: K4001
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：3.3x3.3 (t=0.8)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
22+23+ |
DFN33 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
DFN33 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
2511 |
DFN3.3x3.3 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN3333-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
2022+ |
DFN3.33.3B-8-EP |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
R0HM |
24+ |
DFN3X3 |
22338 |
原装正品现货库存假一赔十欢迎询价 |
询价 | ||
ROHM Semiconductor |
23+ |
500 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
23+ |
HSMT8(3.3x3.3) |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ROHM |
SMDDIP |
185600 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
